近日刘明院士团队在新型存储器及硬件安全芯片研究领域取得重要进展。刘明院士科研团队研究论文成功入选2020年第40届超大规模集成电路研讨会（Symposium on VLSI）。
在硬件安全芯片领域，刘明院士/吕杭炳研究员团队展示了一种利用电荷俘获鳍式晶体管（Charge Trapping FinFET，CT-FinFET）器件短期阈值电压恢复特征的真随机数发生器（TRNG）芯片（如图）。研究人员创新地设计了一种时间-频率转换电路，将CT-FinFET阈值电压的弛豫时间转变为高速真随机数据流。该TRNG在-10~85℃范围，对幅度高达600mV和频率高达1.5G Hz的功率噪声表现出极大的抗攻击能力。论文展示的TRNG芯片通过了NIST 800-22和NIST 800-90B所有的随机性测试项，是一种非常有潜力面向先进工艺节点的硬件安全解决方案。该项工作被组委会邀请参加今年VLSI Demo Session的展示。
CT-FinFET结构与操作原理 TRNG测试系统
上述研究成果以题为“Robust True Random Number Generator Using Stochastic Short-Term Recovery of Charge Trapping FinFET for Advanced Hardware Security”的论文入选2020 VLSI Technology。微电子所杨建国副研究员和丁庆婷博士为共同第一作者，吕杭炳研究员和刘明院士为通讯作者。
