2022年8月至今，bwin必赢博士后

2019年9月-2022年6月，中国科学院微电子研究所，微电子学与固体电子学，工学博士

2016年9月-2019年6月，安徽大学，电路与系统，工学硕士

研究内容：主要从事忆阻器集成及应用方面的研究工作。通过工艺和编程算法优化，提高忆阻器可靠性，基于中芯国际FinFET工艺制备了国际首颗1Mb忆阻器阵列。在器件和阵列优化基础上，进行了易于忆阻器的储备池计算系统研究，构建了基于忆阻器阵列的储备池计算系统仿真平台。当前已在VLSI、IEDM、IEEE Electron Device Lett.等期刊/会议上发表学术论文20余篇，申请专利4项。

代表论著：

1.Jie Yu, Xiaoxin Xu*, Tiancheng Gong, Qing Luo, Danian Dong, Peng Yuan, Lu Tai, Jiahao Yin, Xi Zhu, Xiulong Wu, Hangbing Lv*, Ming Liu, “Suppression of filament overgrowth in conductive bridge random access memory by Ta₂O₅/TaO_x Bi-layer structure”, Nanoscale Research Letters, 2019, 14 (1): 1-6.

2.Jie Yu, Woyu Zhang, Danian Dong, Wenxuan Sun, Jinru Lai, Xu Zheng, Tiancheng Gong, Yi Li, Dashan Shang, Guozhong Xing, Xiaoxin Xu*, “Long-Term Accuracy Enhancement of Binary Neural Networks Based on Optimized Three-Dimensional Memristor Array”, Micromachines, 2022, 13 (2): 308.

3.Jie Yu, Wenxuan Sun, Jinru Lai, Xu Zheng, Danian Dong, Qing Luo, Hangbing Lv, Xiaoxin Xu*, “Performance Improvement of Memristor-based Echo State Networks by Optimized Programming Scheme”, IEEE Electron Device Letters, 2022, 43 (6): 866-869.

4.Jie Yu^#, Yi Li^#, Wenxuan Sun, Woyu Zhang, Zhaomeng Gao, Danian Dong, Zhaoan Yu, Yulin Zhao, Jinru Lai, Qingting Ding, Qing Luo, Chunmeng Dou, Qingyun Zuo, Yuhang Zhao, Shoumian Chen, Rong Zou, Haoyu Chen, Qiwei Wang, Hangbing Lv, Xiaoxin Xu*, Dashan Shang*, Ming Liu, “Energy efficient and robust reservoir computing system using ultrathin (3.5 nm) ferroelectric tunneling junctions for temporal data learning”,2021 Symposium on VLSI Technology. IEEE, 2021: 1-2.

5.Jie Yu, Xiaoxin Xu, Tiancheng Gong, Qing Luo, Lu Tai, Xiaoyan Li, Peng Yuan, Danian Dong, Jiahao Yin, Qingting Ding, Hangbing Lv*, Ming Liu, “Uniformity and Endurance Enhancement of Valance Changed Resistive Switching Memory (VCM) by a New Pulse Method”. 2019 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC). IEEE, 2019: 1-2.

6.Xiaoxin Xu, Jie Yu, Tiancheng Gong, Jianguo Yang, Jiahao Yin, Qing Luo, Jing Liu, Zhaoan Yu, Qi Liu, Hangbing Lv*, Ming Liu*, “First demonstration of OxRRAM integration on 14nm FinFet platform and scaling potential analysis towards sub-10nm node”. 2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). IEEE, 2020: 24.3. 1-24.3. 4.

7.Qing Luo, Jie Yu, Xumeng Zhang, Kan-Hao Xue, Jun-Hui Yuan, Yan Cheng, Tiancheng Gong, Hangbing Lv, Xiaoxin Xu, Peng Yuan, Jiahao Yin, Lu Tai, Shibing Long, Qi Liu, Xiangshui Miao, Jing Li, Ming Liu, “Nb_1-xO₂ based Universal Selector with Ultra-high Endurance (> 10¹²), high speed (10ns) and Excellent V_th Stability”. 2019 Symposium on VLSI Technology. IEEE, 2019: T236-T237.

专利申请

1.许晓欣，余杰，董大年，余兆安，吕杭炳，刘明，杨芸，存储器电路结构及其操作的方法 (申请号：PCT/CN2021/073533)

2.许晓欣，余杰，董大年，余兆安，吕杭炳，存储单元和阻变存储器的操作方法、电子设备 (申请号：PCT/CN2021/073534)

3.许晓欣，余杰，李晓燕，董大年，吕杭炳，阻变存储器、制备方法及全阻变存储器基的神经形态计算芯片 (申请号：202011019747.3)

4.许晓欣，余杰，高兆猛，孙文绚，张握瑜，李熠，尚大山，一种适用于构建储备池计算的易失性铁电隧穿结器件 (申请号：202111258023.9)

获奖及荣誉

1.第八届全国大学生“飞思卡尔”杯智能车竞赛一等奖

2.第六届“挑战杯 中国联通” 学术科技作品竞赛二等奖

3.2015年“TI”杯安徽省第十届大学生电子设计竞赛三等奖

4.2018年“香港科大—汇川技术”国际创业大赛晋级十强

5.2019年中国科学院科学实验展演汇演二等奖

6.2021年中国科学院大学博士国家奖学金

7.2021年清华大学核“芯”力量研究生学术论坛优秀论文奖

8.2022年度中国科学院大学“优秀毕业生”

9.2022年度“北京市优秀毕业生”